英特尔宣布18A制程取得重大突破，晶体管密度提升40%

📰 事件概述

2026年2月5日，英特尔在其“Intel Foundry Direct Connect”年度技术峰会上，向全球客户和合作伙伴展示了其最先进的18A（1.8纳米）制程工艺的最新进展。帕特·基辛格在主题演讲中宣布，18A工艺不仅如期推进，更在多个关键指标上超出预期。除了性能与功耗的显著优化，最引人注目的是晶体管密度的巨大飞跃。英特尔首次详细披露了其RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术的协同优化成果，这是实现密度提升的核心。峰会现场，英特尔展示了多款基于18A工艺的测试芯片，包括高性能计算（HPC）内核和移动SoC模块，并进行了现场演示。

🔍 深度分析

英特尔18A工艺的突破性进展主要体现在三个方面：

1. 晶体管架构：RibbonFET是英特尔对GAA（全环绕栅极）晶体管的具体实现，通过堆叠多个纳米片（nanosheet）作为沟道，实现了更好的栅极控制，减少了漏电流。此次18A工艺将纳米片堆叠层数从3层提升至4层，并进一步优化了间距，这是密度提升的关键。
2. 供电技术：PowerVia（背面供电）技术将电源线和信号线分离，电源网络从晶圆背面接入，释放了晶体管上方的布线资源，使得逻辑单元可以排布得更紧凑，同时降低了电压降和信号干扰。18A是英特尔首个全面采用PowerVia的工艺节点。
3. 材料与封装：英特尔在18A中引入了新型高k金属栅极材料和改良的互连材料，降低了电阻。同时，其先进的Foveros Direct 3D封装技术能与18A前端工艺无缝集成，为芯片设计提供了前所未有的灵活性。

此次突破对行业格局影响深远。它标志着英特尔在“四年五个制程节点”的激进路线图上取得了实质性胜利，重新获得了与台积电、三星在尖端制程上正面竞争的底气。对于依赖先进制程的AI加速器、数据中心CPU和高端移动处理器市场，客户将多一个可靠的尖端产能选择，可能改变代工市场的竞争态势。

💭 业界反应

市场对英特尔的宣布反应积极。发布会后，英特尔股价在盘后交易中上涨超过8%。行业分析师普遍认为，这是英特尔自IDM 2.0战略以来最有力的一次技术展示。

• TechInsights分析师Dan Hutcheson表示：“晶体管密度提升40%是一个惊人的数字，如果量产良率能跟上，这确实意味着英特尔在晶体管微缩竞赛中重新回到了领先集团。PowerVia技术可能是其实现弯道超车的秘密武器。”
• 台积电方面则保持了一贯的谨慎态度，其发言人仅表示“乐见行业技术进步”，并重申其N2（2纳米）工艺进展顺利，将于2025年下半年量产，且已获得大量客户订单，对其技术领先性和产能规划充满信心。
• 潜在客户：据悉，与英特尔签订18A代工协议的三家客户中，除了一家是美国大型科技公司，另一家可能是重要的云服务提供商，第三家则可能来自网络通信设备领域。这显示出业界对多元化供应链和尖端产能的迫切需求。

🔮 未来展望

英特尔18A工艺的成功与否，接下来的关键步骤在于：

1. 风险试产与良率爬坡：2026年下半年的风险试产将是第一个真正的考验。良率提升的速度和成本控制能力，将决定其能否吸引更多客户。
2. 客户产品落地：首批采用18A工艺的商用产品预计将在2027年面世。这些产品的实际性能和能效表现，将是最终的试金石。
3. 对行业的影响：英特尔的强势回归可能加剧尖端制程的竞争，推动整个行业加速创新，并可能在一定程度上缓解地缘政治因素导致的供应链集中风险。对于芯片设计公司（Fabless）而言，选择增多意味着更强的议价能力和更灵活的战略布局。
4. 后续节点：英特尔已预告了其18A之后的“14A”工艺规划。此次18A的成功，为其后续更先进节点的研发注入了强心剂。全球半导体制造可能进入一个“三足鼎立”的新竞争时代。